Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL
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1 - 4 0.75€ 0.91€
5 - 9 0.71€ 0.86€
10 - 24 0.67€ 0.81€
25 - 49 0.63€ 0.76€
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.

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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: Transistor de potencia. Resistencia BE: -70V. C(pulg): -10A. Costo): 90W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: Transistor de potencia. Resistencia BE: -70V. C(pulg): -10A. Costo): 90W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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