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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T. Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE3055T. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE2955T. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE2955T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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