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Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE340

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE340
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Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE340. Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) MJE350. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronic. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V
MJE350-ONS
Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V
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