Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.38€ | 0.46€ |
5 - 9 | 0.36€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.34€ | 0.41€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.36€ |
100 - 149 | 0.28€ | 0.34€ |
150 - 1113 | 0.26€ | 0.31€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.38€ | 0.46€ |
5 - 9 | 0.36€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.34€ | 0.41€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.36€ |
100 - 149 | 0.28€ | 0.34€ |
150 - 1113 | 0.26€ | 0.31€ |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V - MMBT5551. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Spec info: Serigrafía/código SMD G1 (3S Fairchild). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.
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