Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 0.80€ | 0.97€ |
2 - 2 | 0.76€ | 0.92€ |
3 - 4 | 0.72€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.85€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.82€ |
25 - 49 | 0.64€ | 0.77€ |
50 - 283 | 0.53€ | 0.64€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.80€ | 0.97€ |
2 - 2 | 0.76€ | 0.92€ |
3 - 4 | 0.72€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.85€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.82€ |
25 - 49 | 0.64€ | 0.77€ |
50 - 283 | 0.53€ | 0.64€ |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V - MMBT5551. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD G1 (3S Fairchild). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 05:25.
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.