MOSFET de Canal N Fuji Electric 2SK2647, 800V, 4A, 3.19 Ohm, Encapsulado TO-220F15

Descripción técnica del producto (2SK2647):

Tensión Drain-Source Vds(max): 800V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 200uA. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 4A. Corriente de Drain Continua Id (T=100°C): 4A. Resistencia en estado ON Rds(On): 3.19 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220F15. Encapsulado: TO-220. Número de conexiones: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Tecnología: Serie FAP-IIS MOS-FET. Protección Gate-Source: No. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 50 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss(min): 10uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 20 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 16A. Marcado en el encapsulado: K2647. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 3.5V. Capacitancia de entrada C(in): 450pF. Capacitancia de salida C(out): 75pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 450 ns. Disipación de potencia máxima: 40W. Protección Drain-Source: Diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatura: +150°C.