MOSFET de Canal N Hitachi 2SK1170, 500V, 20A, 0.27 Ohm, Encapsulado TO-3P

Descripción técnica del producto (2SK1170):

Tensión Drain-Source Vds(max): 500V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 250uA. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 20A. Resistencia en estado ON Rds(On): 0.27 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3P. Encapsulado: TO-3P (TO-218 SOT-93). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Características especiales: High speed switching, low drive current. Número de conexiones: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: MOSFET de canal N. Tecnología: V-MOS. Protección Gate-Source: Sí. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 200 ns. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 32 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 80A. Capacitancia de entrada C(in): 2800pF. Capacitancia de salida C(out): 780pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 500 ns. Disipación de potencia máxima: 120W. Protección Drain-Source: Diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 30V.