MOSFET de Canal N Hitachi 2SK1296, 60V, 30A, 0.028 Ohm, Encapsulado TO-220

Descripción técnica del producto (2SK1296):

Tensión Drain-Source Vds(max): 60V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 30A. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 30A. Corriente de Drain Continua Id (T=100°C): 15A. Resistencia en estado ON Rds(On): 0.028 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. Compatible con RoHS: Sí. Características especiales: Compatible con nivel lógico. Número de conexiones: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: MOSFET de canal N. Tecnología: V-MOS. Cantidad por encapsulado: 1. Disipación de potencia máxima: 75W.