MOSFET de Canal N Sanken 2SK3199, 500V, 5A, 1.2 Ohm, Encapsulado TO220F-3L

Descripción técnica del producto (2SK3199):

Tensión Drain-Source Vds(max): 500V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 100uA. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 5A. Resistencia en estado ON Rds(On): 1.2 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO220F-3L. Encapsulado: TO-220FP. Compatible con RoHS: Sí. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: MOSFET de canal N. Tecnología: V-MOS (F). Equivalencias: FS5KM-10-AW. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 60 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss(min): 0.1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 18 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 20A. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitancia de entrada C(in): 650pF. Capacitancia de salida C(out): 250pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 2us. Disipación de potencia máxima: 30W. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 4V.