MOSFET de Canal N Toshiba 2SK2662, 500V, 5A, 1.35 Ohm, Encapsulado TO-220FP

Descripción técnica del producto (2SK2662):

Tensión Drain-Source Vds(max): 500V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 100uA. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 5A. Resistencia en estado ON Rds(On): 1.35 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220FP. Encapsulado: TO-220FP. Compatible con RoHS: Sí. Número de conexiones: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad, protegido por Zener. Tecnología: Transistor de efecto de campo (TT-MOS V). Protección Gate-Source: Sí. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 60 ns. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 25 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 20A. Marcado en el encapsulado: K2662. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitancia de entrada C(in): 780pF. Capacitancia de salida C(out): 200pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 1400 ns. Disipación de potencia máxima: 35W. Protección Drain-Source: Diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 4V. Temperatura: +150°C.