Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92. Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MPSA42. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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