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Transistor NPN, TO92, -300V - MPSA92

Transistor NPN, TO92, -300V - MPSA92
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Transistor NPN, TO92, -300V - MPSA92. Transistor NPN, TO92, -300V. Vivienda: TO92. Voltaje colector-emisor VCEO: -300V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 0.625W. Voltaje de base coleccionista VCBO: -300V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 70MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 25. Serie: MPSA. Cantidad en stock actualizada el 04/09/2025, 04:56.

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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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