Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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MUR1100E

MUR1100E
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1 - 9 0.57€ 0.69€
10 - 24 0.54€ 0.65€
25 - 49 0.53€ 0.64€
50 - 99 0.52€ 0.63€
100 - 128 0.47€ 0.57€
Cantidad U.P
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MUR1100E. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalentes: MUR1100ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 18:25.

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Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
UF4007
Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 10
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ...
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V
SUF4007
Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V
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