Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

MURS320T3G

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10 - 24 0.56€ 0.68€
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MURS320T3G. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U3D. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 14:25.

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MBRS360T3G

MBRS360T3G

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE ...
MBRS360T3G
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS360T3G
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB...
SS34-E3-57T
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS34-E3-57T
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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