CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1 A (PW=100us, 120pps). Potencia del diodo: 90mW. Tensión umbral del diodo: 1.05V. Corriente del colector: 150mA. Marcado en la caja: D207. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 4.7us. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): DIP SMD-8. Tr: 3.2us. Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Función: Salida de fototransistor, doble canal