CTR: 80...600 %. Diodo SI: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Potencia del diodo: 60mW. Tensión umbral del diodo: 1.1V. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 7mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 120mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 5us. Vivienda: SO-4. Vivienda (según ficha técnica): SO-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vrms: 2500V. Spec info: Conmutación de alta velocidad (tr=3us TYP, tf=5us TYP)