Optoacopladores

CTR: 200...1000 %. Diodo SI: 80mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Potencia del diodo: 120W. Tensión umbral del diodo: 1.17V. Corriente del colector: 160mA. Salida: salida de transistor darlington. Número de terminales: 16. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 160mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 100us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-16. Tr: 100us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Vrms: 5 kV

Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SI: 30mA. Diodo IF Courant (pico): 500mA. Potencia del diodo: 150mW. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 30mA. Marcado en la caja: PS2561A-1. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo SI: 30mA. Diodo IF Courant (pico): 500mA. Potencia del diodo: 150mW. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 30mA. Marcado en la caja: PS2561A-1. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 7.62mm. Dimensiones: 6.5x4.6mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 7us. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Tr: 5us. Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SI: 30mA. Diodo IF Courant (pico): 500mA. Potencia del diodo: 150mW. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 30mA. Marcado en la caja: PS2561AL1-1. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 2.54mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Paso: 10.16mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrms: 5 kV

Tipo: salida de transistor. Vivienda: SOP4. Output CurrentmA: 30mA. Número de canales: 1. Relación de transferencia actual CTR: 50-300%. Tensión de aislamiento: 3750V. Serie: NEPOC

CTR: 80...600 %. Diodo SI: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Potencia del diodo: 60mW. Tensión umbral del diodo: 1.1V. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 7mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 120mW. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad (tr=3us TYP, tf=5us TYP). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 5us. Vivienda: SO-4. Vivienda (según ficha técnica): SO-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vrms: 2500V

CTR: 50...400 %. Diodo SI: 30mA. Diodo IF Courant (pico): 0.5A. Potencia del diodo: 80mW. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 30mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 16. Paso: 7mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 120mW. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad (tr=5us TYP, tf=7us TYP). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 7us. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-16. Tr: 5us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vrms: 2500V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP8. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de señal. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: FET, interruptor. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 4 kV. Tensión máxima de salida (V): 60VAC/DC. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 2ms. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 0.5ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP6. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de señal. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: MOSFET. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 4 kV. Tensión máxima de salida (V): 60VAC/DC. Corriente de entrada nominal (mA): 5mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 2ms. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 0.5ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO6. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Tipo de optoacoplador: conmutación de energía. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: MOSFET. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 4 kV. Tensión máxima de salida (V): 60V. Corriente de entrada nominal (mA): 5..25mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 2ms. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 0.5ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C

Tipo: Fotovoltaico. Vivienda: DIP8. Output CurrentmA: n/a. Número de canales: 2. Relación de transferencia actual CTR: n/a. Tensión de aislamiento: 2500V. Información: n/a. Serie: n/a

RoHS: sí. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 3us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP6. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5 kV. Tasa: 100..200 %. Tensión máxima de salida (V): 100V

CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Fecha de producción: 2014/42. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 10.03mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Spec info: frecuencia de corte 250kHz. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 14us. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOP4. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 100 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 2.3us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

CTR: 40...80 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 2.54mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Spec info: frecuencia de corte 250kHz. Paso: 7.92mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 11us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 100 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 3us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4 400 mil. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 100 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 3us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

RoHS: sí. Tasa: 19 %. Tensión máxima de salida (V): 25V. Corriente de entrada nominal (mA): 16mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 0.8us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 0.8us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP8. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 8:1. Tipo de optoacoplador: optoacopler para la transmisión digital. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOP4. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 40 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 14us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOP4. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 63 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 14us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: SFH6156-3. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 10.03mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Spec info: frecuencia de corte 250kHz. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 14us. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

RoHS: sí. Familia de componentes: Optoacoplador. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOP4. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso general. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infrarrojos. Tipo de salida: transistor NPN. Tensión de aislamiento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasa: 100 %. Tensión máxima de salida (V): 70V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 3us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 14us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C

Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Nota: VDE, UL, cUL, BSI, FIMKO. Marcado en la caja: SFH6156-3. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Paso: 10.03mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Spec info: frecuencia de corte 250kHz. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 14us. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

CTR: 40...80 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -50...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Vrms: 5300V

CTR: 63...125 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A (Tp >10us). Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25...1.65V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100m A (Tp >10ms). Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Vrms: 5300V