CTR: 100...600 %. Diodo SI: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Tensión umbral del diodo: 1.15V. Función: GaAs Ired y fototransistor. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: P181G. Salida: salida de transistor. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 3us. Vivienda: SO-4. Vivienda (según ficha técnica): 11-4C1. Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Número de terminales: 4. Spec info: Entrada CA-CC, adaptador de CA, placa de interfaz de E/S