CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Tensión umbral del diodo: 1...1.3V. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 3us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8 (11-10C4). Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -25...+85°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 55V. VECO: 7V. Vrms: 2500VAC. Función: Controladores programables, Módulo de entrada CA/CC. Spec info: GaAs Ired & Photo - Transistor