Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD

Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD
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1 - 4 1.36€ 1.65€
5 - 9 1.29€ 1.56€
10 - 24 1.25€ 1.51€
25 - 49 1.22€ 1.48€
50 - 99 1.20€ 1.45€
100 - 249 1.08€ 1.31€
250 - 435 1.05€ 1.27€
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Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD. Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 15m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 150A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Producto original del fabricante Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 01:25.

Documentación técnica

Productos equivalentes :

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IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06

Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK )...
IPD50N03S2L-06
Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Logic Level, Enhancement mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: PN03L06. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V
IPD50N03S2L-06
Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Logic Level, Enhancement mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: PN03L06. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V
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VN750PT-E
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CFR1-4W-470R
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