Par de transistores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Función: STripFET™ II Power MOSFET. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xN-CH 20V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Función: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 11W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora dual. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 4. Nota: Transistor de efecto de campo en modo de mejora dual

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Pd (disipación de potencia, máx.): 11W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P PowerTrench MOSFET. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 4

Transistor MOSFET. Función: SAMSUNG 0505-001417. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SMD SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2