Par de transistores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor MOSFET dual, Canales N y P, PowerTrench . Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Y4. Marcado en la caja: Y4. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda (según ficha técnica): SMT5

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N-P. Función: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 137 ns. Td(encendido): 36ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.45V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N-P. Función: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 47 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Función: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: 0.05R & 0.1R. DI (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: MOSFET de potencia HEXFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v

Transistor MOSFET. C(pulg): 780pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: 0.029R & 0.58R. Protección G-S: NINCS. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P-HEXFET Power MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcado en la caja: F7319. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P-HEXFET Power MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: 28 & 65m Ohms). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. C(pulg): 340pF. Costo): 67pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: (G-S) MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Función: 9.31k Ohms. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xN-CH 30V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SMD. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: 9.31k Ohms. Protección G-S: NINCS. DI (T=100°C): 3.7A. Idss (máx.): 3.2A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xN-CH 60V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Función: 9.31k Ohms. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xN-CH 20V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. RoHS: sí. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: módulo. Configuración: Atornillado. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SK85MH10. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 120ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 570 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 9100pF. Familia de componentes: puente MOSFET completo, NMOS. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SP8M4FU6TB. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Cantidad por caja: 2. Función: STripFET™ Power MOSFET. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xN-CH 30V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8