Power MOSFET de Canal N Fuji Electric 2SK3530-01MR, 800V, 7A, 1.46 Ohm, Encapsulado TO-220F

Descripción técnica del producto (2SK3530-01MR):

Tensión Drain-Source Vds(max): 800V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 250uA. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 7A. Corriente de Drain Continua Id (T=100°C): 7A. Resistencia en estado ON Rds(On): 1.46 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220F. Encapsulado: TO-220FP. Compatible con RoHS: Sí. Número de conexiones: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuente de alimentación conmutada (SMPS). Tecnología: Serie Super FAP-G POWER MOSFET. Protección Gate-Source: No. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 40 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss(min): 25uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 21 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 28A. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitancia de entrada C(in): 740pF. Capacitancia de salida C(out): 105pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 2.3 ns. Disipación de potencia máxima: 70W. Protección Drain-Source: Sí. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 5V.