Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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SF68G

SF68G
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1 - 9 0.58€ 0.70€
10 - 24 0.55€ 0.67€
25 - 49 0.53€ 0.64€
50 - 99 0.52€ 0.63€
100 - 249 0.48€ 0.58€
250 - 253 0.47€ 0.57€
Cantidad U.P
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SF68G. Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 150A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Producto original del fabricante Taiwan Semicon. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 14:25.

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HER608

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HER608
Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 150A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 150A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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