STMicroelectronics STB12NM50N MOSFET de Potencia MDmesh de Canal N, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Descripción técnica del producto (STB12NM50N):

Tensión Drain-Source Vds(max): 550V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 100uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 11A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 6.8A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.29 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): D2PAK (TO-263). Encapsulado: D2PAK (TO-263). RoHS: sí. Número de conexiones: 2. Montaje/Instalación: Componente de montaje en superficie (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: dv/dt alto, baja capacitancia de puerta. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 60 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 15 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 44A. Marcado en el encapsulado: B12NM50N. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitancia de entrada C (in): 940pF. Capacitancia de salida C (out): 100pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 340 ns. Disipación de potencia máxima: 100W. Protección Drain-Source: sí. Tensión Gate-Source Vgs: 25V. Temperatura: +150°C