Stmicroelectronics STP11NM60 MOSFET de Potencia MDmesh de Canal N, 600V Drain-Source, 11A Corriente

Descripción técnica del producto (STP11NM60):

Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 600V. Corriente de fuga máxima Drain-Source Idss (max): 10uA. Corriente de drenaje continua ID (T=25°C): 11A. Corriente de drenaje continua ID (T=100°C): 7A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.4 Ohms. Encapsulado: TO-220. Conforme a RoHS: Sí. Características especiales: Altas capacidades dv/dt y de avalancha. Número de terminales: 3. Tipo de montaje: Montaje pasante en PCB. Tipo de canal: Canal N. Tipo de transistor: MOSFET. Características clave: Baja capacitancia de entrada, baja resistencia en estado ON, baja carga de puerta. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura máxima de funcionamiento: +150°C. Protección Gate-Source: No. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 6 ns. Corriente de fuga mínima Drain-Source IDss (min): 1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 20 ns. Corriente de drenaje pulsada Id(imp): 44A. Tensión umbral mínima Gate-Source Vgs(th): 3V. Capacitancia de entrada C(in): 1000pF. Capacitancia de salida C(oss): 230pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 390 ns. Disipación de potencia máxima Pd: 160W. Protección Drain-Source: Diodo Zener. Tensión máxima Gate-Source Vgs: 30V. Embalaje: Tubo de plástico, 50 unidades por tubo.