STMicroelectronics STP11NM80 MOSFET MDmesh de Canal N, 800V, 11A, TO-220

Descripción técnica del producto (STP11NM80):

Tensión Drain-Source Vds(max): 800V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 100uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 11A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 4.7A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.35 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja capacitancia de entrada, resistencia y carga de puerta. Tecnología: MDmesh MOSFET. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 46 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 10uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 22 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 44A. Marcado en el encapsulado: P11NM80. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitancia de entrada C (in): 1630pF. Capacitancia de salida C (out): 750pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 612 ns. Disipación de potencia máxima: 150W. Embalaje: Tubo de plástico. Protección Drain-Source: Diodo Zener. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Unidad de embalaje: 50