STMicroelectronics STP14NF12 MOSFET de Potencia STripFET II de Canal N, 120V, 14A, TO-220

Descripción técnica del producto (STP14NF12):

Tensión Drain-Source Vds(max): 120V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 10uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 14A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 9A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.16 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. Montaje/Instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja carga de entrada. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 32 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 16 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 56A. Marcado en el encapsulado: P14NF12. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitancia de entrada C (in): 460pF. Capacitancia de salida C (out): 70pF. Disipación de potencia máxima: 60W. Protección Drain-Source: sí. Tensión Gate-Source Vgs: 20V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 4V