STMicroelectronics STP200N4F3 MOSFET de Potencia STripFET™ de Canal N, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Descripción técnica del producto (STP200N4F3):

Tensión Drain-Source Vds(max): 40V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 100uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Corriente de Drain Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Resistencia en estado ON Rds On: 3M Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación, aplicaciones automotrices. Tecnología: STripFET™ Power MOSFET. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 90 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 10uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 19 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 480A. Marcado en el encapsulado: 200N4F3. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitancia de entrada C (in): 5100pF. Capacitancia de salida C (out): 1270pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 67 ns. Disipación de potencia máxima: 300W. Protección Drain-Source: Diodo Zener. Tensión Gate-Source Vgs: 20V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 4V