STMicroelectronics STP4NB80 MOSFET PowerMESH de Canal N, 800V, 4A

Descripción técnica del producto (STP4NB80):

Tensión Drain-Source Vds(max): 800V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 50uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 4A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 2A. Resistencia en estado ON Rds On: 3 Ohms. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta corriente y alta velocidad. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 12 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 14 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 16A. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitancia de entrada C (in): 700pF. Capacitancia de salida C (out): 95pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 600 ns. Disipación de potencia máxima: 100W. Protección Drain-Source: sí. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 5V