STMicroelectronics STW43NM60ND MOSFET de Potencia de Canal N 600V 35A 0.075Ω TO-247 MDmesh II

Descripción técnica del producto (STW43NM60ND):

Tensión Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 35A. ID (T=100°C): 22A. Resistencia en estado activo Rds(on): 0.075 Ohms. Encapsulado: TO-247. RoHS: sí. Información específica: Baja resistencia de entrada de puerta. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja capacitancia de entrada y carga de puerta. Tecnología: MDmesh II. Temperatura máxima: +150°C. Protección G-S: no. Td(off): 120ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 30ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 140A. Marcado en el encapsulado: 43NM60ND. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 4300pF. C(out): 250pF. Trr Diodo (Mín.): 190ns. Pd (Disipación de Potencia, Máx): 255W. Protección drenador-fuente: diodo zener. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V.