Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75

Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75
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1 - 4 1.79€ 2.17€
5 - 9 1.70€ 2.06€
10 - 24 1.61€ 1.95€
25 - 42 1.52€ 1.84€
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Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75. Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0095 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 132 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P75NF75. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 66 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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Transistor de canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 97A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0059 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 550A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRF3808. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 68 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS
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