Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z

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1 - 4 4.88€ 5.90€
5 - 9 4.63€ 5.60€
10 - 24 4.39€ 5.31€
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Transistor de canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z. Transistor de canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 560 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: capacidad dv/dt extremadamente alta, aplicaciones de conmutación. Identificación (diablillo): 33.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W11NK100Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 98 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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