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Tech Public FDC6420C-TP Transistor N/P-MOSFET Par Complementario, PowerTrench®, SuperSOT-6 SMD
Referencia del producto : FDC6420C-TP
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| Cantidad | Precio unitario | Ahorrar |
|---|---|---|
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Descripción técnica del producto (FDC6420C-TP):
Transistor, N/P-MOSFET, 20/-20V, 3/-2.2A, 70/125mΩ, unipolar, SuperSOT-6. RoHS: sí. Encapsulado: SuperSOT-6. Montaje: SMD. Tipo de transistor: N/P-MOSFET. Polaridad: unipolar. Tecnología: PowerTrench®. Tensión drenador-fuente: 20/-20V. Corriente de drenador: 3/-2.2A. Resistencia en estado de conducción: 70/125m Ohmios. Tensión puerta-fuente: ±12V. Disipación de potencia: 0.9W. Tipo de transistor: par complementario. Tipo de canal: enriquecimiento.