Toshiba 2SK2039 MOSFET V-MOS de Canal N, 900V, 5A, Encapsulado TO-3PN

Descripción técnica del producto (2SK2039):

Tensión Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. Resistencia de encendido Rds On: 1,9 Ohmios. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3PN. Encapsulado: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sí. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante en PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Alta velocidad. Tecnología: V-MOS. Temperatura máxima: +150°C. Protección G-S: no. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Cantidad por caja: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diodo (Mín.): 1450 ns. Pd (Disipación de potencia, Máx): 150W. Protección drenador-fuente: diodo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.