Toshiba 2SK3568 MOSFET de Potencia de Canal N 500V 12A TO-220F

Descripción técnica del producto (2SK3568):

MOSFET de potencia de canal N Toshiba 2SK3568. Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 500V. Corriente de fuga Drain-Source máxima Idss: 100uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 12A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 12A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.4 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220F. Encapsulado: TO-220FP. Conforme a RoHS: sí. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: fuente de alimentación conmutada (SMPS). Tecnología: efecto de campo (TT-MOSVI). Temperatura máxima: +150°C. Protección Gate-Source: sí. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 170 ns. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 50 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 48A. Marcado del encapsulado: K3568. Tensión mínima de umbral Gate-Source Vgs(th): 2V. Capacitancia de entrada C(in): 1500pF. Capacitancia de salida C(out): 180pF. Tiempo mínimo de recuperación inversa del diodo Trr: 1200 ns. Disipación de potencia máxima: 40W. Protección Drain-Source: diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Temperatura: +150°C.