Toshiba 2SK363 MOSFET de Canal N 3.7 Ohm TO-92

Descripción técnica del producto (2SK363):

MOSFET de canal N Toshiba 2SK363. Corriente de fuga Drain-Source Idss: 100uA. Resistencia en estado activo Rds On: 3.7 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-92. Encapsulado: TO-92. Conforme a RoHS: sí. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Tecnología: efecto de campo (TT-MOSIV). Protección Gate-Source: sí. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 125 ns. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 60 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Capacitancia de entrada C(in): 700pF. Capacitancia de salida C(out): 75pF. Tiempo mínimo de recuperación inversa del diodo Trr: 850 ns. Protección Drain-Source: diodo.