Toshiba 2SK3878 MOSFET de Canal N 900V 9A TO-3P

Descripción técnica del producto (2SK3878):

Tensión Vds(max): 900V. Idss (máx): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. Resistencia en estado ON Rds On: 1 Ohm. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3P. Encapsulado: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Información específica: Vth=2.0 a 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de regulador conmutado. Protección G-S: sí. Td(off): 120ns. IDss (mín): 1uA. Td(on): 65 ns. Cantidad por caja: 1. Id(imp): 27A. Marcado en la caja: K3878. Vgs(th) mín.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diodo (Mín.): 1.4us. Pd (Disipación de potencia, máx): 150W. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección drenador-fuente: diodo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 V. Vgs(th) máx.: 4 V. Unidad de acondicionamiento: 25