Toshiba 2SK3936 MOSFET de Potencia de Canal N 500V 23A TO-3PN

Descripción técnica del producto (2SK3936):

MOSFET de potencia de canal N Toshiba 2SK3936. Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 500V. Corriente de fuga Drain-Source máxima Idss: 500uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 23A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.20 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3P. Encapsulado: TO-3PN (2-16C1B). Conforme a RoHS: sí. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: regulador de conmutación. Tecnología: tipo MOS de efecto de campo (MACH-II-MOS VI). Protección Gate-Source: sí. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 80 ns. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 45 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 92A. Tensión mínima de umbral Gate-Source Vgs(th): 2V. Capacitancia de entrada C(in): 4250pF. Capacitancia de salida C(out): 420pF. Tiempo mínimo de recuperación inversa del diodo Trr: 380 ns. Disipación de potencia máxima: 150W. Protección Drain-Source: diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 30V. Tensión máxima Gate-Emisor VGE(th): 4V. Temperatura: +150°C.