Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605

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Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605. Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, H.V. Identificación (diablillo): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 80 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.

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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD...
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