Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - 2SK2662

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - 2SK2662
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1 - 4 4.04€ 4.89€
5 - 9 3.84€ 4.65€
10 - 24 3.71€ 4.49€
25 - 49 3.63€ 4.39€
50 - 99 3.55€ 4.30€
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Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - 2SK2662. Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 780pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed Switching, Zener-Protected. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: K2662. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo (TT-MOS V). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 12:25.

Documentación técnica

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