Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR
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Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR. Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.58 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 0.75us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Fuji Electric. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 03:25.

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Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 11NM60ND. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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