transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.75€
5-9
3.29€
10-24
2.97€
25-49
2.77€
50+
2.47€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 59

Transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 550pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: K3563. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2SK3563
27 parámetros
DI (T=100°C)
5A
DI (T=25°C)
5A
Idss
100uA
Idss (máx.)
5A
Resistencia en encendido Rds activado
1.35 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F
Voltaje Vds(máx.)
500V
C(pulg)
550pF
Cantidad por caja
1
Costo)
70pF
Diodo Trr (Mín.)
1400 ns
Función
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Identificación (diablillo)
20A
Marcado en la caja
K3563
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
35W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
50 ns
Td(encendido)
20 ns
Tecnología
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Toshiba

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