Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C
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Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C. Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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