Transistor de canal N BS107, TO-92, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, 200V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. Resistencia en encendido Rds activado: 15 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 85pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 250mA. Costo): 20pF. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Identificación (diablillo): 2A. Marcado en la caja: BS107. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Polaridad: unipolares. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 6.4 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31