transistor de canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100

Descripción técnica del producto (BSS123):

Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Voltaje Vds(máx.): 100V. Idss (máx.): 100uA. DI (T=25°C): 150mA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: sí. Polaridad: unipolares. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Tecnología: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Rds on (max) @ id, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. Protección G-S: no. Td(apagado): 12 ns. IDss (mín.): 10uA. Potencia: 360mW. Td(encendido): 3 ns. VGS (th) (max) @ id: 2.5V @ 250µA. Cantidad por caja: 1. Marcado del fabricante: BSS123-7-F. Identificación (diablillo): 600mA. Resistencia en el estado: 6 Ohms. Marcado en la caja: SA. Vgs(th) mín.: 1V. Corriente de drenaje: 170mA. Tipo de montaje: SMD. C(pulg): 23pF. MSL: 1. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): 1.8nC @ 10V. Costo): 6pF. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±20V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 150mA