Resistencia en encendido Rds activado
3 Ohms
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
500V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
675pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
40W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 2.4A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
2.4A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Función
transistor MOSFET
Marcado del fabricante
BUZ74
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Retardo de desconexión tf[nseg.]
65 ns
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
12 ns
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Infineon Technologies