transistor de canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V

transistor de canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.50€
5-49
1.24€
50-99
1.07€
100+
0.99€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 4

Transistor de canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Vivienda: TO-220AB. DI (T=100°C): 1.5A. Vivienda (norma JEDEC): -. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Voltaje Vds(máx.): 500V. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 675pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: transistor MOSFET. Marcado del fabricante: BUZ74. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 65 ns. RoHS: no. Tecnología: V-MOS. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57

Documentación técnica (PDF)
BUZ74
27 parámetros
Vivienda
TO-220AB
DI (T=100°C)
1.5A
DI (T=25°C)
2.4A
Idss (máx.)
2.4A
Resistencia en encendido Rds activado
3 Ohms
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
500V
Voltaje Vds(máx.)
500V
Cantidad por caja
1
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
675pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
40W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 2.4A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
2.4A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Función
transistor MOSFET
Marcado del fabricante
BUZ74
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Retardo de desconexión tf[nseg.]
65 ns
RoHS
no
Tecnología
V-MOS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
12 ns
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Infineon Technologies

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