Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF

Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF
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5 - 9 1.15€ 1.39€
10 - 24 1.12€ 1.36€
25 - 49 1.09€ 1.32€
50 - 99 1.07€ 1.29€
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Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF. Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: <100/220ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS (F). Producto original del fabricante --. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=...
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Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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