Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP

Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP
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1 - 4 1.88€ 2.27€
5 - 9 1.79€ 2.17€
10 - 24 1.69€ 2.04€
25 - 49 1.60€ 1.94€
50 - 81 1.56€ 1.89€
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Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP. Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 03:25.

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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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