Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF610

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF610. Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 11:25.