| Cantidad en inventario: 77 |
transistor de canal N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V
Cantidad
Precio unitario
1-4
1.21€
5-49
1.00€
50-99
0.92€
100+
0.87€
| Producto obsoleto, próximamente será eliminado del catálogo. | |
| En ruptura de stock | |
| Equivalencia disponible |
Transistor de canal N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Nota: <100/220ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS (F). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: --. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57
BUZ80AF
12 parámetros
DI (T=100°C)
1.5A
DI (T=25°C)
2.1A
Idss (máx.)
2.1A
Resistencia en encendido Rds activado
3 Ohms
Voltaje Vds(máx.)
800V
Cantidad por caja
1
Función
transistor MOSFET
Nota
<100/220ns
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Tecnología
V-MOS (F)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET