Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - FQP5N60C

Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - FQP5N60C. Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 515pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 15 nC, Crss bajo 6,5 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.